Peregrine的UTSi技术可用于广泛的射频半导体。其基本的UTSi专利制造技术能够在绝缘蓝宝石基片之上构建CMOS晶体管。同时，冲电气拥有成熟的SOI技术，该技术非常适用于低功耗大规模集成电路。

令人关注的是，冲电气还将扮演代工的角色，生产Peregrine的超薄硅(UTSi)产品。

Peregrine公司总裁兼首席执行官Jim Cable表示，合作不仅仅是为了授权。“冲电气在制造技术方面实力雄厚，并且是SOI(绝缘硅)技术的主导厂商，目前正研制全耗散型SOI。这些优势与Peregrine的UTSi技术联姻，可为全球市场提供UTSi产品。我们联手的意义超越了代工合同的范畴。”

蓝宝石作为绝缘材料，可用来制作优良的衬底，但是在45°角处容易产生“孪生(twin)”效应――当硅层产生于蓝宝石衬底上时，栅格常数之间有差异而引起。这使成品率低于10%。Peregrine的超薄硅能够消除此效应，在蓝宝石衬底上生成一层100nm厚度的硅。据该公司创办人和首席技术官Ron Reedy称，UTSi于1990年就被开发出来，成品率可达90%~95%。

冲电气总裁Katsumasa Shinozuka表示，该公司的目标是让手机产品在“任何时间、任何地点(通信)都无需电池”。蓝宝石硅(Silicon-on-sapphire)将对进一步减少功耗作出贡献。

冲电气全耗散绝缘硅技术工作电压和负载容抗很低，采用该技术构建的电源电路不需要传统的块状电池供电。比如，基于全耗散SOI技术、用于卡西欧电脑腕表的SoC工作时所需的能量可由一粒太阳能电池提供。

通过融合UTSi技术，冲电气表示期望能减少一半的功耗。例如，在一块手表上应用该技术制造出多种功能的网络手表――全球定位系统、无线通信、电视遥控器和语音发生器，都只靠太阳能供电，而不需要块状电池。

Peregrine在澳大利亚悉尼有一座代工厂，工艺为0.5微米，6英寸蓝宝石晶圆的产能为3000片/月。该公司目前正在测试0.25微米工艺，将在2003年第二季度投入批量生产。

Reedy指出，“冲电气拥有0.18微米和0.13微米的工艺技术，与我们的技术配合，将可能制造出25GHz或40Gbps的RF器件。”

冲电气计划2003年通过其销售渠道推广Peregrine的产品，并将供应Peregrine的芯片组和冲电气的SoCs及采用UTSi技术开发出的产品。冲电气目标是在2005年内UTSi相关产品的销售额达到2.44亿美元。